在新能源及新一代通讯行业，随着微电子信息技术、大规模集成电路（LSI）、多芯片组件（MCM）和微机电系统（MENS）等技术的迅速发展，对电子整机的要求越来越高，这种要求越来越迫切，促使它们朝着微型化、便携式、高性能等方向发展。
高密度集成是实现上述功能的效解决方案，高密度集成可以将各种电子设备复杂的功能集成到更小的组件中，而实现高密度集成的关键是解决元器件的散热问题。对于电子器件而言，通常温度每升高10°C，器件效寿命就降低30%~50%。因此，选用合适的封装材料与工艺、提高器件散热能力就成为发展功率器件的技术瓶颈。
以大功率LED封装为例，由于输入功率的70%~80%转变成为热量（只有约20%~30%转化为光能），且LED芯片面积小，器件功率密度很大（大于100W/cm2），因此散热成为大功率LED封装须解决的关键问题。
如果不能及时将芯片发热导出并消散，大量热量将聚集在LED内部，芯片结温将逐步升高，一方面使LED性能降低（如发光效率降低、波长红移），另一方面将在LED器件内部产生热应力，引发一系列可靠性问题（如使用寿命、色温变化等）。
如果不能及时将芯片发热导出并消散，大量热量将聚集在LED内部，芯片结温将逐步升高，一方面使LED性能降低（如发光效率降低、波长红移），另一方面将在LED器件内部产生热应力，引发一系列可靠性问题（如使用寿命、色温变化等）。
伴随着功率器件（包括LED、LD、IGBT、CPV等）不断发展，采用高导热材料制作电路基板是实现微电路散热的效方法之一。
